tft與mosfet的比較

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tw[DOC] 第五卷第二期深次微米閘極技術之發展與未來趨勢(I)由於步驟較繁複，且製程的熱預算(thermal budget)增加，相對地，p-和n- MOS之間的製程範圍(process window)的相容性就比較難以控制。

也有人提出以兩次低溫in situ doping ...TFT 四種結構優缺點 - 數位感film transistor, TFT)来加以实现，而栅极线Gl、G2、G3分别在横向方向上传送栅极... 较少的数据线架构以及省电等优点，但其本身所具有的双点（two dot)排列像素结构 ...圖片全部顯示