半導體製程之缺陷分析與改善__臺灣博碩士論文知識加值系統

詳目顯示 ; 蔡溢峰 · Yi-Feng Tsai · 半導體製程之缺陷分析與改善 · Analysis of wafer defects and improvement in semiconductor processing · 溫武義. 資料載入處理中... 跳到主要內容 臺灣博碩士論文加值系統 ::: 網站導覽| 首頁| 關於本站| 聯絡我們| 國圖首頁| 常見問題| 操作說明 English |FB專頁 |Mobile 免費會員 登入| 註冊 功能切換導覽列 (159.65.142.206)您好！臺灣時間：2022/05/2303:10 字體大小：       ::: 詳目顯示 recordfocus 第1筆/ 共1筆  /1頁 論文基本資料 摘要 外文摘要 目次 參考文獻 紙本論文 QRCode 本論文永久網址: 複製永久網址Twitter研究生:蔡溢峰研究生(外文):Yi-FengTsai論文名稱:半導體製程之缺陷分析與改善論文名稱(外文):Analysisofwaferdefectsandimprovementinsemiconductorprocessing指導教授:溫武義指導教授(外文):Wu-YihUen學位類別:碩士校院名稱:中原大學系所名稱:電子工程研究所學門:工程學門學類:電資工程學類論文種類:學術論文論文出版年:2011畢業學年度:99語文別:中文論文頁數:38中文關鍵詞:印表機、懸浮物、圓形缺陷、晶圓製程外文關鍵詞:circulardefect、semiconductorprocessing、suspendedsolids、printer相關次數: 被引用:0點閱:2195評分:下載:0書目收藏:0 積體電路製程中，晶圓缺陷一直是有礙於產品良率提昇的一項重要因素。

在積體電路尺寸日益縮減的同時，晶圓缺陷對良率的影響更值得重視。

晶圓製程中諸如微影、蝕刻、薄膜沉積、擴散、化學機械研磨等步驟皆會產生晶圓缺陷；除此之外，來自環境的懸浮物，如：微塵、溶劑、氣體分子等也是晶圓缺陷的來源[1]。

如何有效減少晶圓缺陷的產生，以及提升晶圓缺陷來源分析效率，乃各晶圓廠不斷努力的目標。

本篇文章探討如何藉由實驗之設計，分析晶圓製程中所發現的圓形缺陷之來源。

結果顯示此圓形缺陷由無塵室環境中的懸浮物所造成，該汙染源係彩色噴墨印表機運作時所產生的墨水分子飄落至晶圓上所致。

Inintegratedcircuitprocessing,theissueofwaferdefectsisveryimportantforelevatingtheproductyield.Waferdefectsshowanevenstrongerimpactontheproductyieldasthecircuitdimensionshrinks.Insemiconductorprocessing,thestepssuchasphotolithography,etching,thinfilmdeposition,diffusion,andchemicalmechanicalpolishingwillintroducedefects;otherwise,thesuspendedmattersintheenvironment,suchas:dust,solvents,gasmoleculesarethesourcesofwaferdefects.Howtoreducethenumberofwaferdefectsandincreasetheanalysisefficiencyoftheoriginofwaferdefectsisthegoalthateachwaferfabisconstantlystrivingfor.ThisarticlereportsonhowtoidentifytheoriginofthecirculardefectsfoundinICwaferprocessingthroughanexperimentalinvestigation.Basedontheanalysisofdataobtained,thesourceofthewaferdefectsissuggestedtobethesuspendedparticlesintheclean-roomenvironment,originatedfromtheinkmoleculesofcolorinkjetprinterduringitsoperation. 目錄摘要ⅠAbstractⅡ目錄Ⅲ表目錄Ⅴ圖目錄Ⅵ第一章緒論11-1研究背景11-2研究動機與目的11-3論文架構21-4問題概述2第二章半導體製程缺陷檢測系統32-1缺陷掃描機台簡介32-1-1反射式掃描機工作原理32-1-2散射式掃描機工作原理42-1-3反射式與散射式掃描機優缺點描述62-2缺陷篩檢原則72-3缺陷分類原則82-4缺陷分析流程8第三章噴墨印表機運作系統103-1熱氣泡式噴墨原理103-2壓電式噴墨原理113-3靜電式噴墨原理133-4音波式噴墨原理14第四章半導體缺陷分析與改善方式164-1隨機存取記憶體製程常見缺陷的外觀與形成原因164-2製程結構174-3目標缺陷外觀分析184-4目標缺陷來源分析184-5實驗設計與實驗結果194-6缺陷改善原則224-6-1印表機缺陷改善方式234-6-2短期與長期的改善方式24第五章結論與未來展望29參考文獻29表目錄表4-1改良型隔離盒測試印表機機型26圖目錄圖2-1、反射式光源路徑3圖2-2反射式缺陷掃描機定義缺陷訊號示意圖4圖2-3、散射式光源路徑剖面圖5圖2-4散射式光源路徑俯視圖6圖2-5散射式掃描機定義缺陷訊號示意圖6圖3-1熱氣泡式噴墨技術示意圖11圖3-2彎曲式噴墨技術示意圖12圖3-3推拉式噴墨技術示意圖12圖3-4剪切式噴墨技術示意圖13圖3-5收縮管式噴墨技術示意圖13圖3-6靜電式噴墨技術示意圖14圖3-7音波式噴墨技術示意圖15圖4-1、晶圓各製程步驟中所見典型缺陷外觀16圖4-2、晶圓各製程步驟中所發現的圓形缺陷18圖4-3、圓形缺陷(Circulardefect)來源的魚骨分析圖19圖4-4、黃光區環境檢測後所發現的兩種圓形缺陷20圖4-5、圓形缺陷攔檢點之設置示意圖21圖4-6、圓形缺陷重現實驗結果22圖4-7印表機隔離盒原型25圖4-8印表機隔離盒改良型26圖4-9方式一測量墨水分子結果26圖4-10印表機隔離盒改良型掀蓋時外觀27圖4-11方式二測量墨水分子結果27圖4-12方式三測量墨水分子結果28圖4-13靜置時間與墨水分子數量關係圖29 參考文獻[1]謝瑞豪、彭羽榛(無日期)。

無塵室空氣品質監測分析技術開發與應用實例。

經濟部工業局工業安全衛生技術輔導網，民99年7月17日，取自。

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2. 余伯泉，1989，組織升級的關鍵─提案制度，管理雜誌，第178期，第83-85。

3. 余伯泉，1989，組織升級的關鍵─提案制度，管理雜誌，第178期，第83-85。

4. 余伯泉，1989，組織升級的關鍵─提案制度，管理雜誌，第178期，第83-85。

5. 余伯泉，1989，組織升級的關鍵─提案制度，管理雜誌，第178期，第83-85。

6. 何玉美，1998，十大熱門管理工具出現-經理人秘密武器大公開，管理雜誌，第292期，第44-47。

7. 何玉美，1998，十大熱門管理工具出現-經理人秘密武器大公開，管理雜誌，第292期，第44-47。

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