單元:二級體

(A)PN接面附近會產生一空乏層，而P型側的空乏層內含有負離子(B)PN二極體具有單向導電特性，可作為整流、檢波等功能(C)PN二極體在逆向偏壓下(小於崩潰電壓)，沒有電流 ... 平時測驗 二極體 1. N型鍺材料中,有較多的自由電子,因此其所帶電性為(A)正電(B)負電 (C)偶帶電(D)不帶電。

2. 欲得P型半導體,須加入微量的(A)二價(B)三價(C)四價(D)五價元素。

3. 由矽半導體所作成的電阻，一般而言，其阻值大小會隨溫度的上升而如何變化? (A)減小(B)增大(C)先減小後增大(D)先增大後減小(E)不變。

4. 溫度每升高1℃時二極體的順向電壓約降低:(A)1.245mV(B)1.50mV (C)1.75mV(D)2.00mV(E)2.50mV。

5. 有關外質(Extrinsic)半導體之敘述，下列何者錯誤?(A)將三價雜質元素摻入純半導體中，以形成P型半導體 (B)將五價雜質元素摻入純半導體中，以形成N型半導體(C)N型半導體之多數載子為自由電子 (D)P型半導體之少數載子為電洞(E)外質半導體本身之電性仍屬電中性。

6. 在N型半導體中，傳導電流的載子(carrier)主要是:(A)電子(B)離子(C)電洞 (D)分子(E)原子。

7. 關於PN二極體，下列敘述何者錯誤?(A)PN接面附近會產生一空乏層，而P型側的空乏層內含有負離子 (B)PN二極體具有單向導電特性，可作為整流、檢波等功能(C)PN二極體在逆向偏壓下(小於崩潰電壓)，沒有電流導通，但仍有微量的逆向飽和電流，其大小與外加偏壓沒有太大關係，但對溫度甚為敏感 (D)PN接面接上順向偏壓後，則空乏層的寬度變小，使得載子越過接面而到達對面，造成大量的電流流動，所以具有電流放大作用 (E)在逆向偏壓下，接面會產生一過渡電容，其大小與偏壓成反比。

8. 形成N型半導體要在本質半導體中加入微量(A)二價(B)三價(C)四價 (D)五價元素。

9. 下列何種元素摻入純質半導體材料中，可將純質半導體的電特性轉變為P型半導體? (A)磷(B)砷(C)銻(D)硼。

10. 鋁與高摻雜濃度(n+)矽材料接觸可形成(A)肖特基接觸，具整流作用 (B)歐姆接觸，具整流作用(C)肖特基接觸，不具整流作用(D)歐姆接觸，不具整流作用。

11. P-N二極體逆向飽和電流Is於溫度每上升10°C約增加一倍，有一二極體於300°K時Is=1μA，於400°K時Is應為 (A)100μA(B)200μA(C)800μA(D)1024μA。

12. 對於二極體，下列敘述何者正確?(A)用在檢波時，要工作在非線性區 (B)串聯可增加最大電流(C)並聯可增最大逆向電壓(D)施加逆向偏壓愈大，則空乏區寬度變小。