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二、固定污染源各批次施行日期如下：. (一) 第一批公私場所應申報溫室氣體排放量之固定污染源，自中華民國一百零二年一月一日施行。

(二) 第二批公私場所應申報溫室 ... ::: 首頁 設為首頁 網站導覽 下載專區 常見問題 English 關於公報 公報瀏覽 公報查詢 網路資源 會員專區 行政院公報資訊網-每日即時刊登行政院及所屬各機關公布之法令規章等資訊 行政院環境保護署公告 中華民國101年12月25日 環署溫字第1010115639E號 主　　旨：訂定「公私場所應申報溫室氣體排放量之固定污染源」，並自即日生效。

依　　據：空氣污染防制法第二十一條第一項。

公告事項： 一、第一批及第二批公私場所應申報溫室氣體排放量之固定污染源，如附表。

二、固定污染源各批次施行日期如下： (一) 第一批公私場所應申報溫室氣體排放量之固定污染源，自中華民國一百零二年一月一日施行。

(二) 第二批公私場所應申報溫室氣體排放量之固定污染源，自中華民國一百零三年一月一日施行。

署　　長　沈世宏 　 附表  　　　　　　　　第一批及第二批公私場所應申報溫室氣體排放量之固定污染源 批 次 固定污染源 條件說明 計算說明 行業別 製程別 一 發電業 汽力機組鍋爐發電程序 係指具備汽力機組鍋爐發電程序且採用化石燃料者。

一、 公私場所固定污染源具有左列任一製程或設備者，應依規定申報全廠（場）溫室氣體年排放量。

二、 公私場所應依下列計算方式，判定全廠（場）化石燃料燃燒產生溫室氣體年排放量是否達一定門檻：         　　溫室氣體年排放量（公噸二氧化碳當量／年）＝當年原（物）料、燃料使用量、產品產量或其他經主管機關認定之操作量（公噸、公秉或千立方公尺／年）×排放係數（公噸／公噸、公秉／公噸或千立方公尺／公噸）×溫暖化潛勢         　　前項原（物）料、燃料使用量、產品產量或其他經主管機關認定之操作量，以公私場所於中華民國一百零一年之活動數據計算之。

但公告後始設立之固定污染源，其活動數據應採用最大設計值。

複循環機組發電程序 係指具備複循環機組發電程序且採用化石燃料者。

一 鋼鐵業 一貫煉鋼鋼胚生產程序 係指包含煉鐵、煉鋼、熱軋、冷軋等程序，且生產鋼胚者。

電弧爐碳鋼鋼胚生產程序 係指包含電弧爐煉鋼程序、精煉爐及連續鑄造程序，且生產碳鋼鋼胚者。

電弧爐不銹鋼鋼胚生產程序 係指包含電弧爐煉鋼程序、轉爐、真空精煉爐及連續鑄造程序，且生產不銹鋼鋼胚者。

H型鋼生產程序 係指包含加熱、軋製、噴砂及研磨程序，且生產H型鋼者。

不銹鋼熱軋鋼捲（板）生產程序 係指包括含加熱及軋製軋鋼程序，且生產不銹鋼熱軋鋼捲（板）者。

一 石油 煉製業 石油煉製程序 以礦產原油或油頁岩等為原料，從事汽油、煤油、柴油、潤滑油、石蠟、石油醚、有機溶劑或其他石油品之提煉者。

一 水泥業 具備熟料生產程序 熟料生產程序包含生料研磨製程及熟料燒成製程。

其中熟料係指含氧化鈣（CaO）、氧化矽（SiO2）、氧化鋁（Al2O3）及氧化鐵（Fe2O3）之原料，依適當比例並經研磨後投入於水泥窯爐中，燒至部分熔融所得以矽酸鈣為主要礦物成分之水硬性膠凝物質。

一 半導體業 積體電路製造程序 包括經由物理氣相沈積、化學氣相沈積、光阻、微影、蝕刻、擴散、離子植入、氧化與熱處理等製程。

一 薄膜電晶體液晶顯示器業 具備薄膜電晶體元件陣列基板及彩色濾光片生產程序 指薄膜電晶體液晶顯示器製造過程中，包括擴散、薄膜、黃光顯影、蝕刻或彩色濾光片等程序。

一 各行業 公私場所之其他設備 公私場所全廠（場）化石燃料燃燒產生溫室氣體年排放量達一百萬公噸二氧化碳當量者。

二 各行業 公私場所之其他設備 公私場所全廠（場）化石燃料燃燒產生溫室氣體年排放量達二．五萬公噸二氧化碳當量。

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